ПРИМЕНЕНИЕ СОВРЕМЕННЫХ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОПТРОНА ОТКРЫТОГО КАНАЛА
Article Sidebar
Published:
Oct 4, 2023
Main Article Content
Abstract
В статье описаны перспективы оптоэлектронного приборостроения, материалы полупроводникового лазера, принципы действия, а также режим работы лазерного диода.
Article Details
Section
Articles
References
Рахимов, Н.Р. АФН-пленки и их применение / Н.Р. Рахимов, А.Н. Серьѐзнов: монография. – Новосибирск: СибНИА, 2005. – 64с.
Рахимов Н.Р. Оптоэлектронные датчики на основе АФН-эффекта / Н.Р. Рахимов, О.К. Ушаков. - Новосибирск: СГГА, 2009 – 148с.
Ларюшин, А.И. Оптоэлектроника в промышленности и в медицине / А.И. Ларюшин. – Казань: 1997 – 320 с.
Курбатов, Л.Н. Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра / Л.Н. Курбатов. – М.: Изд-во МФТИ, 1999. – 320 с.